| 品牌：IXYS | 型号：IXTQ82N25P | 封装：TO-3P |
| 批号：21+ | FET类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：250V |
| 漏极电流(Id)：82A | 漏源导通电阻(RDS On)：666 | 栅源电压(Vgs)：666 |
| 栅极电荷(Qg)：666 | 反向恢复时间：666 | 最大耗散功率：666mW |
| 配置类型：直插 | 工作温度范围：-55-175 | 安装类型：直插通孔 |
IXTQ82N25P IXYSN 沟道场效应管
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 250 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 82A（Tc） | |
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） | 35 毫欧 @ 41A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（值） | 5V @ 250?A | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） | 142 nC @ 10 V | |
Vgs（值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） | 4800 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（值） | 500W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-3P |
