品牌:IXYS | 型号:IXTK82N25P | 封装:TO-264 |
批号:21+ | FET类型:N沟道 | 漏源电压(Vdss):250V |
漏极电流(Id):82A | 漏源导通电阻(RDS On):38@10V | 栅源电压(Vgs):142@10V |
反向恢复时间:20 | 最大耗散功率:500000mW | 配置类型:直插通孔 |
工作温度范围:-55-175 | 安装类型:to-264 | 应用领域:***/航天、 测量仪器、 家用电器、 新能源 |
IXTK82N25 详细参数如下:
功率MOSFET | |
单株 | |
增强 | |
N | |
1 | |
250 | |
±20 | |
82 | |
38@10V | |
142@10V | |
142 | |
4800@25V | |
500000 | |
22 | |
20 | |
78 | |
29 | |
-55 | |
150 | |
调至-264 | |
3 | |
通孔 | |
26.16() | |
19.96() | |
5.13() |
IXTK82N25 细节图