品牌:IXYS | 型号:IXTQ82N25P | 封装:TO-3P |
批号:21+ | FET类型:N | 漏源电压(Vdss):250V |
漏极电流(Id):82A | 漏源导通电阻(RDS On):666 | 栅源电压(Vgs):666 |
栅极电荷(Qg):666 | 反向恢复时间:20 | 最大耗散功率:500000mW |
配置类型:直插 | 工作温度范围:-55-175 | 安装类型:直插通孔 |
应用领域:汽车电子、 测量仪器、 家用电器 |
IXTQ82N25 IXYSN沟道MOSFET 现货
IXTQ82N25参数
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 250 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 82A(Tc) | |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) | 35 毫欧 @ 41A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(值) | 5V @ 250?A | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) | 142 nC @ 10 V | |
Vgs(值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) | 4800 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(值) | 500W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-3P |
IXTQ82N25细节图