| 品牌：IR | 型号：IRFP9140NPBF | 封装：TO-247 |
| 批号：21+ | FET类型：P沟道 | 漏源电压（Vdss）：100V |
| 漏极电流(Id)：23A | 配置类型：标准 | 工作温度范围：温度175° |
| 安装类型：直插通孔 |
IRFP9140NPBF P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 连续漏极电流 | 23 A |
| 漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 漏源电阻值 | 117 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 97 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 15.9mm |
| 宽度 | 5.3mm |
| 晶体管材料 | Si |
