品牌:IR | 型号:IRFP140N | 封装:TO247 |
批号:21+ | FET类型:N沟道 | 漏源电压(Vdss):100V |
漏极电流(Id):30A | 漏源导通电阻(RDS On):-- | 栅源电压(Vgs):-- |
栅极电荷(Qg):-- | 反向恢复时间:-- | 最大耗散功率:--mW |
配置类型:-- | 工作温度范围:工作温度175° | 安装类型:直插通孔 |
IRFP140N
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。