| 品牌：IXYS/艾赛斯 | 型号：IXFH160N15T2 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 |
IXFH160N15T2 品牌IXYS
IXFH160N15T2 沟道MOS管
IXFH160N15T2 封装 TO-247参数150V 160A
IXFH160N15T2 一般信息
| 数据列表IXFH160N15T2;标准包装 30包装 管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列GigaMOS?，HiPerFET?，TrenchT2? |
IXFH160N15T2规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）150V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）160A（Tc）驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）253nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）15000pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）880W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AD（IXFH）封装/外壳TO-247-3 |
图像和媒体
| 产品相片TO-247 |
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DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。
优势产品线：MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
根据中兴所说，IXFH160N15T2随着全球首批5G规模商用部署展开，已在全球获得25个5G商用合同，覆盖中国、欧洲IXFH160N15T2、亚太、中东等主要5G市场，与全球60多家运营商展开5G 合作IXFH160N15T2，包括中国移动、中国电信、中国联通、Orange、TelefonicaIXFH160N15T2、意大利Wind Tre、奥地利H3A、MTN、印尼Telkomsel 等。
