ON安森美 FDA59N30 N沟道MOS管 59A300V FDA69N25 69A250V详细介绍
产品介绍
FDA59N30产品描述
封装：TO-3P
产品优势：59A300V
FDA59N30 FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）300V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）59A（Tc）驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）56 毫欧 @ 29.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）100nC @ 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4670pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）500W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔,器件封装TO-3PN封装/外壳TO-3P-3
企业简介：
深圳市兴科泰科技成立于2004年 ，是一家主要从事国际电子集成元件分销的企业，。
公司创建至今始终坚持“人员高素质、工作高效率”的企业方针，秉承“诚信经营、品质取胜”的经营理念，多年来凭借高效的管理体制和独特的地域优势，使我们与国内外多家电子元器件厂商建立了长期，稳定，友好的合作关系
的产品，的服务 是我司的宗旨！
我们热烈欢迎各地厂商与我司建立良好的合作关系，一起携手共进！
售后说明
关于价格：
电子元器件价格波动较大，线上展示价格仅做参考，价格以每日的报价为准
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联系客服，不同型号不同封装起订量不同
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我司是一般纳税人，可开具13%增值税发票
关于运费：
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