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VISHAY N沟道场效应管 型号 IRFP264PBF 封装TO-247
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VISHAY N沟道场效应管 型号 IRFP264PBF 封装TO-247

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  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 华强北现代之窗B座32H
品牌:VISHAY型号:IRFP264PBF封装:TO-247
批号:21FET类型:N沟道漏源电压(Vdss):-
漏极电流(Id):-漏源导通电阻(RDS On):-栅源电压(Vgs):-
栅极电荷(Qg):-反向恢复时间:-最大耗散功率:-mW
配置类型:-工作温度范围:-安装类型:-
应用领域:照明电子、 新能源

VISHAY N沟道场效应管 型号 IRFP264PBF 封装TO-247详细介绍

IRFP264PBF 品牌VISHAY

属性数值
通道类型N
连续漏极电流38 A
漏源电压250 V
封装类型TO-247AC
安装类型通孔
引脚数目3
漏源电阻值75 mΩ
通道模式增强
最小栅阈值电压2V
功率耗散280 W
晶体管配置
栅源电压-20 V、+20 V
宽度5.31mm
长度15.87mm
每片芯片元件数目1
典型栅极电荷@Vgs210 nC @ 10 V
工作温度+150 °C


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