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TS硅N沟道MOS TSF12N65M 封装TO-220F 12A650V
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TS硅N沟道MOS TSF12N65M 封装TO-220F 12A650V

产品标签  | TSF12N65M 12N65 12A650V

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TS硅N沟道MOS TSF12N65M 封装TO-220F 12A650V

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      广东 深圳 福田区 华强北现代之窗B座32H
    详细信息
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    品牌：TS型号：TSF12N65M封装：TO-220F
    批号：21+FET类型：N漏源电压（Vdss）：650
    漏极电流(Id)：12A漏源导通电阻(RDS On)：-栅源电压(Vgs)：-
    栅极电荷(Qg)：-反向恢复时间：-最大耗散功率：-mW
    配置类型：-工作温度范围：-50-175安装类型：直插

    TS硅N沟道MOS TSF12N65M 封装TO-220F 12A650V详细介绍

    TSF12N60M  TS原装现货 12A650V MOSFET 


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