| 品牌：ON安森美 | 型号：FDA50N50 | 封装：TO-3P |
| 批号：21+ | FET类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：- |
| 漏极电流(Id)：- | 漏源导通电阻(RDS On)：- | 栅源电压(Vgs)：- |
| 栅极电荷(Qg)：- | 反向恢复时间：- | 最大耗散功率：-mW |
| 配置类型：- | 工作温度范围：- | 安装类型：直插 |
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| 增强 | ||
| N | ||
| 48 A | ||
| 500 V | ||
| ±20V | ||
| 通孔 | ||
| -55至150摄氏度 | ||
| 15.6 x 4.8 x 19.9毫米 | ||
| 105@10V莫姆 | ||
| 至-3P | ||
| 230 ns | ||
| 360 ns | ||
| 225 ns | ||
| 105 ns | ||
| 600 |
