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IXFH34N65X2 IXYS N沟道场效应管 34A650V 34N65
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IXFH34N65X2 IXYS N沟道场效应管 34A650V 34N65

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IXFH34N65X2 IXYS N沟道场效应管 34A650V 34N65

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    • 地   址：
      广东 深圳 福田区 华强北现代之窗B座32H
    详细信息
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    品牌：IXYS型号：IXFH34N65X2种类：绝缘栅(MOSFET)
    沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：A/宽频带放大
    封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道批号：21+
    封装：TO-247

    IXFH34N65X2 N沟道场效应管 IXYS 



    欧盟RoHS符合豁免 
    ECCN(美国)EAR 99
    部分状态主动
    SVHC是
    SVHC超过阈值是
    汽车不
    PPAP不
    产品类别功率MOSFET
    配置单株
    信道模式增强
    通道类型N
    每片元素数1
    漏源电压(V)650
    栅源电压(V)±30
    连续漏电流(A)34
    漏源电阻100@10V
    典型门电荷@VGS(NC)56@10V
    典型栅电荷@10V(NC)56
    典型输入电容@VDS(PF)3230@25V
    功耗540000
    典型下降时间(Ns)30
    典型上升时间(Ns)60
    典型的关断延迟时间(Ns)64
    典型的开启延迟时间(Ns)37
    ***工作温度(摄氏度)-55
    工作温度(摄氏度)150
    供应商包装至-247 AD
    针数3
    标准包名调至-247


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