| 品牌：IXYS/艾赛斯 | 型号：IXYS | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：A/宽频带放大 |
| 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：N-FET硅N沟道 | 批号：21+ |
| 封装：TO-264 |
IXFK94N50 IXYS超 大功率N沟道MOSFET
IXFK94N50参数
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 500 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 94A（Tc） | |
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） | 55 毫欧 @ 500mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（值） | 5V @ 8mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） | 220 nC @ 10 V | |
Vgs（值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） | 13700 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（值） | 1300W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-264AA（IXFK） | |
封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
IXFK94N50细节图：
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