| 品牌：IXYS | 型号：IXTQ130N10T | 封装：TO-3P |
| 批号：21+ | FET类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：100V |
| 漏极电流(Id)：130A | 漏源导通电阻(RDS On)：9.1@10V | 栅源电压(Vgs)：104@10V |
| 栅极电荷(Qg)：104 | 反向恢复时间：30 | 最大耗散功率：360000mW |
| 配置类型：开关电源 | 工作温度范围：-175 | 安装类型：直插通孔 |
| 应用领域：测量仪器 |
IXTQ130N10T 品牌IXYS 封装TO-3P 参数130A 100V
| 功率MOSFET | ||
| 单株 | ||
| 增强 | ||
| N | ||
| 1 | ||
| 100 | ||
| 130 | ||
| 9.1@10V | ||
| 104@10V | ||
| 104 | ||
| 5080@25V | ||
| 360000 | Maximum Power Dissipation describes the measure of the rate at which energy is dissipated, or lost, from a system. | |
| 28 | ||
| 47 | ||
| 44 | ||
| 30 | ||
| -55 | ||
| 175 | ||
| 至-3P | ||
| 3 | ||
| 至-3P | ||
| 通孔 | ||
| 15.8() | ||
| 4.9(最多) |
