| 应用范围：放大 | 品牌：TOSHIBA/东芝 | 型号：2SC2240-GR |
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兴科泰科技有限公司分销多种***品牌系列电子元器件如：FAIRCHILD、TOSHIBA、ST、IR、
TI、ON、PHILIPS(NXP)、FREESCALE飞思卡尔INFINEON、IXYS、APT、VISHAY、
FUJI、NIEC、SANYO、SANKEN、RENESAS、SAMSUNG、ATMEL、MAXIM、
DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。
优势产品线：MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
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致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的***供应商美高森美公司宣布提供下一代1200V 碳化硅(SiC) MOSFET系列的***产品40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的SiC分立器件和模块产品组合。
这款全新SiC MOSFET产品系列具有高雪崩性能，
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展示了在工业、汽车和商业航空电源应用中的耐用性，并且提供了实现稳健运作的高耐短路能力。此外，该产品系列的其他成员将在未来几个月内陆续发布，包括符合商业和AEC-Q101标准的700 V和1200 V SiC MOSFET解决方案，以配合美高森美新发布的SiC SBD器件所针对的广泛电源应用。
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美高森美副总裁兼功率分立和模块业务部门经理Leon Gross表示：“我们新的SiC MOSFET产品系列为客户提供了更高效开关和高可靠性的优势，特别是与硅二极管、硅MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)解决方案相比，我们的优势更加明显。专注于开发用于恶劣环境的高性价比电力电子解决方案的客户，可以从这些***产品中选择理想的解决方案，它们都能够根据具体的SiC MOSFET需求进行扩展。”兴科泰科技供应2SA970/2SC2240，TOSHIBA东芝对管三极管等
欢迎致电0755-83035330/83035360徐先生/曾小姐/胡小姐美高森美下一代SiC MOSFET和新型SiC SBD在额定电流下具有高重复性的非钳位电感性开关(UIS)能力，无任何退化或故障。新型碳化硅(SiC) MOSFET在大约每平方厘米10到15焦耳(J/cm2)的情况下可保持较高的UIS能力，并在3到5微秒内保持稳健的短路保护功能。美高森美的SiC SBD在低反向电流下具有平衡浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，美高森美SiC MOSFET和SiC SBD芯片可以在模块中配对使用。兴科泰科技供应2SA970/2SC2240，TOSHIBA东芝对管三极管等
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美高森美的新型SiC MOSFET和SBD非常适合工业和汽车市场中的各种应用，其SiC MOSFET也可用于医疗、航天、***和数据中心市场中的开关电源和电机控制应用。实例包括混合动力汽车(HEV)/纯电动充电、插电/感应式车载充电(OBC)、DC-DC转换器、EV动力系统/牵引控制、开关电源、光伏(PV)逆变器、电机控制和航空推进。
市场研究和咨询公司IndustryARC指出，提高功率转换效率和限度地降低功率损耗的要求驱动了电力电子应用的增长，使得宽带隙半导体技术(即基于SiC的器件)有可能从开发阶段转向商业阶段。电力转换的进步为基于碳化硅的电动汽车充电设备打稳了基础，这有助于减少电池充电周期并降低电池组的高成本。将SiC器件集成在车载充电机和DC-DC功率转换系统中，可实现更高的开关频率和***的损耗。IndustryARC预计电动汽车充电领域中的SiC市场将在2024年之前以大约33%的速率增长。兴科泰科技供应2SA970/2SC2240，TOSHIBA东芝对管三极管等
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面对这些发展趋势，美高森美已经做好了充分的准备，其SiC MOSFET的额定失效时间(FIT)比同类硅IGBT在额定电压方面的中子敏感度要低10倍;其SiC SBD配合了SiC MOSFET的稳健性，UIS能力比竞争对手的器件高出20%。美高森美的SiC产品还具有许多其他优势，包括同样物理尺寸的功率输出增加25到50%以实现更高的系统效率、相比IGBT更高的开关频率、更小的系统尺寸和重量、高温度范围内的工作稳定性(+175度)以及显着的散热成本节省。
