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IXTK82N25P艾赛斯IXYS场效应管 参数82A250V
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IXTK82N25P艾赛斯IXYS场效应管 参数82A250V

产品标签  | K82N25 82A250V 场效应管

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IXTK82N25P艾赛斯IXYS场效应管 参数82A250V

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    • 地   址：
      广东 深圳 福田区 华强北现代之窗B座32H
    详细信息
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    品牌：IXYS/艾赛斯型号：IXTK82N25种类：绝缘栅(MOSFET)
    沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：A/宽频带放大
    封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材料：N-FET硅N沟道批号：21+
    封装：TO-264

    IXTK82N25P艾赛斯IXYS场效应管 参数82A250V详细介绍

    IXTK82N25P艾赛斯IXYS场效应管 参数82A250V

    IXTK82N25P产品类别功率MOSFET
    配置单株
    信道模式增强
    通道类型N
    每片元素数1
    漏源电压(V)250
    栅源电压(V)±20
    连续漏电流(A)82
    漏源电阻38@10V
    典型门电荷@VGS(NC)142@10V
    典型栅电荷@10V(NC)142
    典型输入电容@VDS(PF)4800@25V
    功耗500000
    典型下降时间(Ns)22
    典型上升时间(Ns)20
    典型的关断延迟时间(Ns)78
    典型的开启延迟时间(Ns)29
    ***工作温度(摄氏度)-55
    工作温度(摄氏度)150
    供应商包装调至-264
    针数3
    安装通孔
    包装高度26.16()
    包装长度19.96()
    封装宽度5.13()




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